مطالعه عددی جریان نانوسیال مغشوش از روی دو مانع ناهمسان در حالت دایم

در بررسی حاضر جریان جابجایی اجباری مغشوش نانوسیال آب-مس در یک کانال افقی همراه با دو مانع گرم به روش عددی بررسی شد. معادلات مومنتوم و انرژی حاکم به روش اختلاف محدود مبتنی بر حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل شده اند. ازمدل k-? برای مدل سازی جریان مغشوش استفاده شده و در مدل سازی نواحی نزدیک دیواره از مدل منطقه دو لایه تک معادله ولف اشتین استفاده شده است. اثر پارامترهای حاکم در جریان جابجایی توام بر میزان انتقال حرارت بررسی شد. به طور کلی نتایج به دست آمده را می توان به صورت زیر جمع بندی کرد: 1- با افزایش فاصله بین موانع عدد ناسلت افزایش می یابد تا به مقدار بیشینه خود می رسد با افزایش بیشتر عدد ناسلت کاهش یافته و به مقدار ثابتی می رسد. 2- مقدار بیشینه عدد ناسلت متوسط دیواره پایینی با تغییر فاصله بین موانع، با افزایش عدد رینولدز در فاصله بیشتر موانع اتفاق می افتدکه این به دلیل کوچک شدن گردابه تشکیل شده در پشت مانع یک در رینولدزهای بالاتر است. 3- با افزایش نسبت حجمی نانو ذرات عدد ناسلت متوسط افزایش می یابد. 4- میزان افزایش عدد ناسلت نسبت به سیال پایه در اعداد رینولدز مختلف، با افزایش عدد رینولدز افزایش می یابد. 5- با افزایش عدد رینولدز گرادیان عرضی دما زیاد شده و جابجایی اجباری افزایش می یابد. بنابراین با افزایش عدد رینولدز انتقال حرارت افزایش می یابد. 6- افزایش عدد رینولدز که باعث افزایش انتقال حرارت شده است، افزایش در عدد ناسلت را به همراه خواهد داشت. 7- عدد ناسلت متوسط سیال با افزایش قطر نانوذرات کاهش می یابد که شیب این تغییرات در قطرهای کوچک تر بیشتر است. 8- با افزایش نسبت طول به ارتفاع موانع انتقال حرارت افزایش می یابد البته در نسبت های کوچک نیز انتقال حرارت بالایی داریم که به دلیل افت فشار زیاد این حالت مطلوب نیست.